精度
電流測量的精度取決于多個因素之和。在大多數系統中,精度在負載電流范圍的中高端非常重要。有些系統要求在輕負載條件下提供出色的精度,這意味著檢測鏈中的信號非常小。我們可以將精度影響因素分為四類:檢測元件、板布局、放大器和檢測測量電路。
在更詳細地討論精度之前,需要先定義術語TUE??偡钦{整誤差或TUE是每個LTC297x數據手冊中都會列出的一項規格參數。包括電流和電流測量的TUE規格。TUE是從VSENSE或ISENSE引腳到芯片的數字部分這一路徑中,緩沖區和放大器中的PSM器件的內部基準電壓源、增益和偏置誤差共同導致的 組合誤差。TUE是最差情況下的誤差,以所有過程變化和溫度范圍內的READ_IOUT或READ_VOUT讀數的百分比表示。這樣就無需再計算芯片中的單項誤差,例如VREF誤差和ADC誤差。外部組件(CSA和相關電阻、分流電阻、電感DCR、IMON電流)各自會產生誤差,必須在總誤差預算中加以考慮。
如前所述,置于輸出路徑中的電阻檢測元件的精度。RSENSE容差一般為1%。它們成本較低,容易獲取。數值范圍一般在0.5 m?至幾十m?之間。要確定該值,必須考慮相關的電流范圍和范圍兩端需要達到的精度。電流流經RSENSE時,元件上會生成小電壓delta V。我們需要測量該信號,并通過歐姆定律將其轉換成電流。我們可能希望獲得足夠大的信號,以在輕負載條件下實現出色的精度;但是,在大負載下IR會大幅下降,會對電源性能造成負面影響。我們假設穩壓器的反饋來自負載本身,檢測點連接在負載上。因此,輸出路徑(高端和GND返回路徑)中會出現壓降。RSENSE位于穩壓器的反饋回路內。其中也包括布局中會導致IR損失的PCB銅。
下方是一個關于精度的示例。假設電源的最大電流為10 A,我們希望精度能低至100 mA。在滿負載時,建議將IR壓降保持在<50 mV。如果檢測電阻位于反饋回路中,則可以產生更大的檢測電壓。大信號的缺點在于檢測元件中存在功率損耗。這是在選擇電阻值時需做出的基本取舍。RSENSE值是基于滿負載電流狀態下檢測到的電壓計算得出,在本例中,為50 mV/10 A或5 m?。假設我們選擇容差為1%的5 m?檢測電阻。
實現的精度為1%(電阻容差)+ 0.3%(數據手冊中給出的TUE)或1.3%,因為LTC2972/LTC2974/LTC2975輸入檢測電壓>20 mV,該值可以轉換為大于4 A的負載電流。檢測電平<20 mV時,給出的TUE為±60 µV。負載電流為100 mA時,生成的信號為0.1 A × 0.005 ?或500 µV。在±12% (60 µV/500 µV)的輕負載條件下,誤差要大得多,這主要取決于TUE,而電阻容差對精度的影響不大。按值計算,其誤差僅為±12 mA。TUE會導致內部基準電壓源誤差和ADC誤差。選擇容差更嚴格的檢測電阻,得到的精度也會更高。
表2.ISENSE精度計算示例

上述內容針對LTC297x系列中的大多數產品,適合<6 V的電源軌,其中,LTC2972/LTC2974/LTC2975 ISENSE引腳可以直接跨接在檢測元件上,從而無需使用外部CSA。如果電源軌>6 V,則PSM管理器系列中的大多數產品都需使用CSA。LTC2971除外,它可以直接連接高達±60 V的ISENSE引腳。LTC2971的TUE為0.6%,是LTC2972/LTC2974/LTC2975的兩倍;但是,IOUT_SNS引腳可直接連接至電源電壓高達±60 V的檢測電阻。
使用LTC2977/LTC2979/LTC2980/LTM2987來測量>6 V的電源電壓上的輸出電流時,可以使用CSA單端輸出來驅動VSENSE引腳??梢允褂萌魏瓮ǖ?,adc_hires位應保持其默認設置值0。從READ_VOUT寄存器讀取輸出電流測量值,且必須將該值從電壓轉換為電流。需要注意的是,VSENSE引腳具有更大的動態范圍,大于LTC2974/LTC2975的ISENSE引腳的170 mV限值范圍。由于VSENSEP引腳可以驅動至6 V,所以,可以將CSA增益設置得更高,以生成更大的檢測電壓。此外,CSA的輸入失調電壓VOS也需要考慮。VOS與增益的乘積決定CSA的輸出誤差。如果VOS為85 µV (LTC6101),增益設置為100,輸出誤差可能達到8.5 mV。VSENSE 引腳<1 V時的TUE為2.5 mV,>1 V時則為0.25%。CSA增益應設置為低值,以盡可能降低輸出誤差,但需要足夠大,以利用VSENSE引腳的大信號范圍。對于給定的增益設置,CSA導致的誤差是固定的mV誤差。轉換后的輸出電流值的誤差顯示在最后一列。表8描述了一個示例。RSENSE為5 mΩ。
表3.adc_hires = 0時,使用外部CSA計算得出的LTC2977/LTC2979/LTC2980/LTM2987的精度
這說明,外部CSA可以為高檢測電壓提供相當不錯的精度,但是在低檢測電平條件下,會導致更多誤差。
通過生成適當的檢測電壓或信號,可以實現準確的電流測量。來自檢測元件的delta V需要足夠大,以克服芯片和其他來源(例如布局)導致的噪聲和誤差。先確定輕負載精度的重要性,然后預估信噪比(SNR)。通過將產生可接受精度的檢測電壓除以待檢測范圍中的電流值,可以計算出最佳值。
要實現高精度,最好是創建足夠大的信號并盡可能降低元件/布局誤差。也就是說,使用較大的RSENSE值和容差較小的電阻。您也可以考慮校準電流回讀值。采用已知的負載電流,觀察READ_IOUT值。調節IOUT_CAL_GAIN值,盡量降低回讀值的誤差。使用STORE_USER_ALL命令,將更改過的值存儲到芯片的EEPROM中。
檢流電阻檢測精度
檢流電阻方法的優勢在于,它比電感DCR方法更準確,因為分流電阻值的精度一般能達到1%或更高。與電感DCR相比,其溫度系數相當低。但是,即使購買容差很小的電阻,也可能因為布局和焊接問題而失去效用。
分流電阻方法的劣勢在于,它會因IR壓降產生損耗。這會導致發熱,并且在輸出路徑中會出現壓降。如前所述,將檢測電阻置于反饋環路內可以大大減少IR壓降,使穩壓器環路將壓降減少到可忽略不計的水平。
因為LTC297x差分輸入電流會導致差分誤差電壓,所以Rcm電阻的值必須相同。不匹配的Rcm電阻會因為濾波器器件容差而產生誤差。通常,這些電阻值應小于1 kΩ。
圖10.ISENSE引腳電流
布局
無論您是計劃使用分立感測電阻,還是使用電感DCR來測量電流,在高負載條件下,布局都很重要。這很可能導致在焊接連接中出現IR壓降,感測連接也會受到影響。最好避免與檢測點之間會出現IR壓降的焊盤進行感測連接。如果比較圖11中顯示的布局,會發現連接至焊盤內部的連接示例中只有少量或沒有IR壓降,這是因為焊盤的這些區域中不會發生或很少發生電流流動。標記為“一般”的布局會因為檢測點(焊盤側面)所在的位置(位于在電流路徑中)出現IR壓降。
圖11.分流電阻的布局建議
市面上提供4端口檢測電阻。兩個端口用于連接主電流電路,另兩個端口用于進行開爾文檢測連接。對于要求在大于20 A的電流下具有出色精度的應用,可以采用4端口合金檢測電阻,其值可以低至100 µΩ。有些制造商指定高值電阻的容差比低值電阻更小,所以此時需要做出基本的權衡取舍——要求精度達到0.1%時使用1 mΩ,或達到0.5%時使用400 µΩ。
圖12.4端口分流電阻
在確定檢測電阻的布局時,請參考“改進低值分流電阻的焊盤布局,優化高電流檢測精度”獲取關于精度的更多詳情。
使用LTC2977/LTC2979/LTC2980/LTM2987測量輸出電流
LTC2977/LTC2979/LTC2980/LTM2987器件測量電流的能力有限。它們可以配置為測量奇數通道上的電流:通道1、3、5和7。要進行電流測量配置,必須將通道設置為高分辨率模式(MFR_CONFIG_LTC2977,位9)。這樣VSENSEM引腳可連接至高達6 V的共模電壓。VSENSEP和VSENSEM引腳可跨接在電感(DCR)或電阻檢測(RSNS)元件上。
圖13.MFR_ConFIG adc_hires位
偶數位通道不支持此功能,VSENSEM引腳(通道0、2、4和6)必須保持在GND的±100 mV范圍內。
在這種模式下,此通道提供的功能就是遙測回讀電流。設置adc_hires位會禁用VOUT_EN引腳,并禁用所有故障響應。本質上,對于LTC2977,它會強制通道進入“關閉”狀態,并且它僅回讀檢測元件兩端的電壓(mV)。
LTC2977/LTC2979/LTC2980/LTM2987器件未配備READ_IOUT寄存器,或使用寄存器來存儲DCR或RSNS值。而是使用READ_VOUT命令來獲取原始差分電壓讀數。系統主機需要根據該讀數除以檢測電阻值計算出電流。注意,這些值是以L11格式給出的,而不是L16格式。單位為毫伏。如果使用系統主機或FPGA/CPU讀取電流,則必須進行數學運算,將毫伏值轉換為毫安或安培值。應用筆記AN135中包含將L11十六進制轉換為浮點值的示例代碼。
圖14.用于檢測差分電流的VSENSE引腳
LTpowerPlay有一個功能,可以很方便地將這個mV讀數轉換為電流回讀值(mA)。這是一個比例系數,可用于在READ_VOUT寄存器中生成調節值??梢酝ㄟ^單擊配置窗口中的設置選項卡來訪問此選項。
輸入VOUT顯示比例框中的值應等于1/RSNS。如果使用外部CSA,需要將比例系數設置為1/(GAINCSA/RSNS)。其中有一個顯示單位字段,通過將V更換為A,可以將伏特改為安培。這樣就可以顯示經過計算的電流讀數,該電流與基于電路中的檢測電阻得到的實際電流一致。例如,如果RSNS為10 mΩ (0.01 Ω),則VOUT顯示比例為100。READ_VOUT寄存器現在會報告一個mA值,反映芯片測量的每mV的100 mA。在本例中,對RSNS為10 mΩ的電源軌施加592 mA負載,則芯片的測量值為5.92 mV。注意:設置下的比例/偏置值不會保存至器件的NVM,但會保存至.proj文件。
圖15.設置選項卡中的VOUT顯示比例
圖16.READ_VOUT遙測顯示比例值和單位(mA)
因為差分電壓(VSENSEPn – VSENSEMn)限制為±170 mV,所以選擇檢測元件時必須注意,確保IR壓降不超過此限值。這些引腳的共模電壓可高達6 V。例如,如果預期電流在3 A范圍內,則50 mΩ檢測電阻會為ADC提供150 mV電壓,且允許超出3.4 A。因為有大信號,這有助于提高精度,但在輸出路徑中,150 mV也是很大的IR壓降。因此需要在電流測量精度和輸出中的IR壓降之間做出取舍。應始終關閉負載上的反饋環路,以便穩壓器/伺服器調節至合適的輸出電壓。詳情請參見LTC2977數據手冊。
例如,將其中一個奇數位通道分配用于測量輸出電流。通道7測量通道6的IOUT,這是一個3.0 V電源。
圖17.READ_VOUT轉換為mA(通道7)
當奇數位通道配置為ADC高分辨率模式時,不能使用VOUT_EN引腳,且禁用監控功能;因此,無法快速檢測過電流狀況。但是,如果使用CSA,并將單端信號輸出至VSENSEP引腳,就可以監控任何通道(在ADC低分辨率模式下)的電流??梢詫⒁粋€電壓通道專用于監控CSA的輸出。傳輸延遲由通過CSA的延遲、PSM器件導致的延遲,以及任何無源組件(即RC)可能導致的延遲的總和決定。PSM延遲取決于配置,無論故障響應是設置為即刻關閉還是抗尖峰關閉,以及延遲計數設置。